パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア

仕事内容 MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス（成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング/ウェットエッチング、イオン注入など）の開発をお任せします。 【具体的には】 ・パワーデバイスのプロセス開発 ・パワーデバイスの装置開発 ※各工程毎にチーム編成してそれぞれのプロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。 ※各チームでリーダーシップを発揮して開発を牽引していただける人財を求めており、お任せする工程はこれまでのご経験をお伺いしたうえでご相談いたします。

応募条件 以下いずれかのご経験をお持ちの方 ・半導体のユニットプロセス技術経験者 ・半導体装置メーカ、半導体材料メーカ等、半導体関連メーカに在籍され、ユニットプロセスの知見がある方 ・半導体に関連する研究を専攻されていた方 学歴 大学

石川県能美市 東芝デバイス&ストレージ株式会社 【交通手段】 アクセス 【駅名】 鶴来

月給21万円～55万円 給与詳細 月給210,000~550,000円 【年収】 450～1000万円 基本給：210,000円～550,000円 賞与：年2回（7月、12月） ※エキスパート級での採用（年収1,000万円）については管理監督者にあたるため、住宅手当、次世代育成手当、時間外勤務手当等は不支給となります。 固定残業代 無し 試用期間 有り 変更無し 試用期間中の給与：月給210,000円〜 試用期間中の固定残業代：無し 通勤手当 有り

固定時間制 勤務時間・シフト詳細 08:15~17:00 【休憩時間】 1時間 【勤務時間について】 所定労働時間：7時間45分 平均残業時間：約20時間 在宅勤務制度あり（条件あり） 【時間外労働】 有り

休日・休暇 週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日 年次有給（初年度は入社月によって変動。半日取得可、最大24日付与、繰越制度あり）、その他休暇（慶弔・夏季・災害休暇など） 年間休日：127日

【保険制度】 ・雇用保険 ・労災保険 ・健康保険 ・厚生年金 福利厚生 健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険 住宅手当、通勤手当、時間外勤務手当、次世代育成手当、深夜手当など（当社規定による） 退職金制度、確定拠出年金制度、寮・社宅制度、カフェテリアプラン制度（選択型福祉制度）など

試用期間あり 変更無し

雇用形態 正社員 職種 パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア 店舗名 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 勤務地 【住所】 石川県能美市 採用担当部署 石川 掲載開始日 2025/04/03 18:53

• 月平均残業時間20時間以内
• 住宅手当あり
• 賞与あり
• 長期休暇あり
• 寮・社宅あり