【伊丹】シミュレーション技術開発(高周波･光デバイス) 最先端技術の開発 半導体研究開発

企業名 三菱電機株式会社 求人名 【伊丹】シミュレーション技術開発(高周波･光デバイス) 最先端技術の開発◎ 仕事の内容 化合物半導体高周波･光デバイスのシミュレーション技術の開発をお任せします。シミュレーション業界の動向を追いながら、半導体微細構造の量子効果からデバイスのマクロ性能のシミュレーション技術を開発します。 ●シミュレーション技術開発構想（技術・文献調査、市場・顧客調査） ●シミュレーションプログラム作成、既存プログラムの機能拡張 ●試作デバイスの設計 ●試作評価結果とシミュレーション結果の突き合わせ、精度向上 ●シミュレーション技術伝承、後継者育成 募集職種 【伊丹】シミュレーション技術開発(高周波･光デバイス) 最先端技術の開発◎

必要な経験・能力等 ●下記に該当する方 ・半導体デバイス設計 / プロセス開発に携わった経験がある方 開発から量産まで一貫して北伊丹地区でウエハ製造を行っています。培ったコア技術（設計技術、結晶成長技術、ウエハプロセス技術、品質保証技術、等）は現在でも世界トップシェア製品を複数有し、市場価格の下落や中国等競合他社との競争など、厳しい事業環境に置かれながらも高い収益性を実現する強みを持ち続けています。先進技術開発センターは、これらの強みを生かした基盤技術開発を行い、新しい市場を開拓します。 学歴・資格 学歴：大学院 語学力： 資格：

配属先情報 先進技術開発センター（14名）

兵庫県伊丹市瑞原4丁目1 三菱電機株式会社 予定勤務地 兵庫県伊丹市 勤務地 勤務地① 事業所名：高周波光デバイス製作所 所在地：兵庫県 伊丹市 瑞原4丁目1 最寄駅：JR 福知山線 伊丹駅、阪急電鉄 阪急伊丹線 伊丹駅 喫煙環境：敷地内禁煙（屋外喫煙可能場所あり） 備考：瑞ヶ池（伊丹市営バス）から徒歩5分/総監部前（阪急バス）から徒歩7分 転勤：当面無

月給30万円～57万円 想定年収 540万円～1,110万円 雇用形態 正社員 期間の定め：無 賃金形態 形態：月給制 備考：月給￥300,000～￥570,000 基本給￥300,000～￥570,000を含む/月 ■賞与実績:あり 諸手当：通勤手当（会社規定に基づき支給）、残業手当（残業時間に応じて別途支給） 試用期間 有 期間：3ヶ月 備考：変更無

フレックスタイム制度 就業時間 （1日あたり所定労働時間07時間45分）フレックスタイム制あり（コアタイム無） 休憩：45分 残業：有 備考：

休日 休日：125日 （内訳） 完全週休二日制 土曜 日曜 祝日 その他（GW、夏季、年末年始など） 有給休暇：有（～25日）（※詳細は備考欄参照）

【保険制度】 ・雇用保険 ・労災保険 ・健康保険 ・厚生年金 その他制度 退職金：有 社会保険：健康保険 厚生年金保険 雇用保険 労災保険 寮・社宅：有 その他制度：家賃補助制度、財形貯蓄、住宅融資、社員持株会、社員互助会、保養所、契約リゾート施設、スポーツ施設など 制度備考：【有給休暇】3月16日から翌年3月15日までの1年間を休暇年度とし、期間中下記のとおり付与する。 (1)入社年度：1)5月15日までに入社した場合 20日 2)8月15日までに入社した場合 15日 3)11月15日までに入社した場合 10日 4)2月15日までに入社した場合 4日 (2)翌年度：20日 (3)翌年度以降：25日を上限として、休暇年度毎に漸増。

試用期間あり 試用期間3ヶ月。

備考 ■標準労働時間：8:30～17:00 ■会社の定める従事すべき業務の変更範囲 ※業務の都合によっては会社外の職務に従事するため出向又は転属を命じることがある。 ■会社の定める就業場所の変更範囲 ※業務の性質等に応じリモートワークを認める場合は、リモートワークを行う場所（自宅等）を含む。 採用企業情報・求人取扱いエージェント ■求人取扱いエージェント リクルートエージェント https://www.r-agent.com/ ■採用企業情報 事業内容：重電システム、産業メカトロニクス、情報通信システム、電子デバイス、家庭電器などの製造・販売 設立：1921年01月 代表者：執行役社長 漆間 啓 従業員数：145,696人 平均年齢：41.4歳 資本金：175,820百万円 株式公開：プライム市場 主な株主：日本マスタートラスト信託銀行 16.9％ SSBTC CLIENT OMNIBUS ACCOUNT 5.0％ 日本カストディ銀行 4.6％ 本社所在地：〒100-0005 東京都千代田区 丸の内２－７－３ 東京ビル 本社以外の事業所：■支社：全国10ヶ所 ■製作所・研究所他：全国約40ヶ所 関連会社：■国内外含め約200社 その他備考・企業からのフリーコメント：【薄膜の評価および解析】エピ成長後の膜厚・組成の評価（XRD、SIMS、PL、TEM、SEM など）。欠陥密度、表面粗さ、歪み量など、品質に直結するパラメータの定量化。光学特性（PLピーク、吸収端）、電気特性（キャリア濃度、移動度）の解析。 【エピ成長条件の最適化と再現性向上】結晶品質のばらつき要因の特定（ガス分布、ヒータプロファイル、基板回転、温度均一性など）。エピ成長装置の経時変化を考慮した安定化手法の検討。量産ラインでの再現性確保に向けた条件最適化。エピ成長装置のメンテナンス・安定動作管理。 【新規材料／構造のプロセス開発】高速・低消費電力デバイス向けの多重量子井戸（MQW）構造の開発。新デバイス用途への新規材料展開。 決算情報： 決算期2024/03 売上高5,257,914百万円 経常利益365,853百万円 決算期2025/03 売上高5,521,711百万円 経常利益437,265百万円 決算期2026/03（今期予測） 売上高5,400,000百万円 経常利益470,000百万円 ※決済単位：連結

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