伊丹/化合物半導体ウエハプロセスのエピタキシャル成長技術開発/WEB面接可 半導体研究開発

企業名 三菱電機株式会社 求人名 ■伊丹/化合物半導体ウエハプロセスのエピタキシャル成長技術開発/WEB面接可 仕事の内容 ■光通信用途を始めとしたデバイス開発を支える化合物半導体エピタキシャル成長技術開発を担当していただきます。結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行います 【業務詳細】■InP／GaAs／GaN 系のIII-V 族化合物半導体のエピタキシャル成長■MOCVD装置を用いたInP／GaAs／GaN 系のエピタキシャル成長■エピ成長条件（温度、圧力、V/III 比、キャリアガス流量）の設定・調整■デバイス仕様に応じたエピ構造の実現（量子井戸層、ヘテロ障壁層、ドーピング制御 など） 募集職種 ■伊丹/化合物半導体ウエハプロセスのエピタキシャル成長技術開発/WEB面接可

必要な経験・能力等 【いずれか必須】■工学系修士以上または同等の専門知識・スキルを有する方■化合物半導体（InP, GaAs, GaNなど）の結晶成長・評価経験に関する実務または研究■MOCVD、MBEなどの結晶成長装置の操作・プロセス設計 経験■物性物理、量子力学、電磁気学に関する基礎知識【やりがい】原子オーダーで薄膜を制御するエピタキシャル成長技術は世界トップクラスのシェアを持つ光通信デバイスの性能を支える中核技術であり、「光」を生み出す最上流工程を担う事ができます。成長条件の最適化から量産化まで、自ら設計したプロセスが製品性能に直結し、理論を実装に落とし込む高度なエンジニアリングを実践することができます。 学歴・資格 学歴：大学院 大学 語学力： 資格：

配属先情報 ウエハ製造部 エピ技術課

兵庫県伊丹市瑞原4丁目1 三菱電機株式会社 予定勤務地 兵庫県伊丹市 勤務地 勤務地① 事業所名：高周波光デバイス製作所 所在地：兵庫県 伊丹市 瑞原4丁目1 最寄駅：JR 福知山線 伊丹駅、阪急電鉄 阪急伊丹線 伊丹駅 喫煙環境：敷地内禁煙（屋外喫煙可能場所あり） 備考：瑞ヶ池（伊丹市営バス）から徒歩5分/総監部前（阪急バス）から徒歩7分 転勤：当面無

月給28万円～57万円 想定年収 500万円～1,100万円 雇用形態 正社員 期間の定め：無 賃金形態 形態：月給制 備考：月給￥280,000～￥570,000 基本給￥280,000～￥570,000を含む/月 諸手当：通勤手当（会社規定に基づき支給）、残業手当（残業時間に応じて別途支給） 試用期間 有 期間：3ヶ月 備考：変更無

フレックスタイム制度 就業時間 （1日あたり所定労働時間07時間45分）フレックスタイム制あり（コアタイム無） 休憩：45分 残業：有 備考：

休日 休日：125日 （内訳） 完全週休二日制 土曜 日曜 祝日 その他（GW、夏季、年末年始など） 有給休暇：有（～25日）（会社カレンダーに準じる）

【保険制度】 ・雇用保険 ・労災保険 ・健康保険 ・厚生年金 その他制度 退職金：有 社会保険：健康保険 厚生年金保険 雇用保険 労災保険 寮・社宅：有 その他制度：家賃補助制度、財形貯蓄、住宅融資、社員持株会、社員互助会、保養所、契約リゾート施設、スポーツ施設など

試用期間あり 試用期間3ヶ月。

採用企業情報・求人取扱いエージェント ■求人取扱いエージェント リクルートエージェント https://www.r-agent.com/ ■採用企業情報 事業内容：重電システム、産業メカトロニクス、情報通信システム、電子デバイス、家庭電器などの製造・販売 設立：1921年01月 代表者：執行役社長 漆間 啓 従業員数：145,696人 平均年齢：41.4歳 資本金：175,820百万円 株式公開：プライム市場 主な株主：日本マスタートラスト信託銀行 16.9％ SSBTC CLIENT OMNIBUS ACCOUNT 5.0％ 日本カストディ銀行 4.6％ 本社所在地：〒100-0005 東京都千代田区 丸の内２－７－３ 東京ビル 本社以外の事業所：■支社：全国10ヶ所 ■製作所・研究所他：全国約40ヶ所 関連会社：■国内外含め約200社 その他備考・企業からのフリーコメント：【薄膜の評価および解析】エピ成長後の膜厚・組成の評価（XRD、SIMS、PL、TEM、SEM など）。欠陥密度、表面粗さ、歪み量など、品質に直結するパラメータの定量化。光学特性（PLピーク、吸収端）、電気特性（キャリア濃度、移動度）の解析。 【エピ成長条件の最適化と再現性向上】結晶品質のばらつき要因の特定（ガス分布、ヒータプロファイル、基板回転、温度均一性など）。エピ成長装置の経時変化を考慮した安定化手法の検討。量産ラインでの再現性確保に向けた条件最適化。エピ成長装置のメンテナンス・安定動作管理。 【新規材料／構造のプロセス開発】高速・低消費電力デバイス向けの多重量子井戸（MQW）構造の開発。新デバイス用途への新規材料展開。 決算情報： 決算期2024/03 売上高5,257,914百万円 経常利益365,853百万円 決算期2025/03 売上高5,521,711百万円 経常利益437,265百万円 決算期2026/03（今期予測） 売上高5,400,000百万円 経常利益470,000百万円 ※決済単位：連結

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