必要な経験・能力等 【必須】半導体業界での5年以上のウエハプロセス要素技術業務の経験をお持ちの方 【歓迎】イオン注入・拡散プロセス業務経験、パワーデバイス業界での経験、装置メーカーでの該当装置業務経験など  【求める人物像】論理的に考え、建設的な議論ができる方。周囲を巻き込みながら、主体的に業務を推進できる方。目標達成に向けて、常に実現方法を考え、粘り強く業務に取り組める方。従来のやり方にとらわれず、柔軟な発想で業務に取り組める方を求めています。世界No.1性能に挑戦する最先端技術の現場で、社会インフラを支える製品を世に送り出すやりがいのある環境です。  学歴・資格 学歴：大学院 大学 高専 語学力： 資格：

【熊本】SiCパワーデバイスのウエハプロセス開発 半導体デバイス設計

次世代SiCパワーデバイスのイオン注入または拡散工程のプロセス開発を担当いただきます。プロセスインテグレーション開発部門等と連携し、次世代SiCデバイスのコア技術を構築する重要なポジションです。

資格 ・半導体デバイス（チップ）構造の設計経験がある方 ・半導体プロセス技術の開発経験がある  「これまでの経験を活かし、最先端の技術開発に挑戦したい方」 「エンジニアとしてさらなる成長やキャリアアップを目指したい方」 「働きやすい環境でワークライフバランスを大切にしたい方」 「今よりも年収をアップさせたい方」 そんな思いをお持ちの方のご応募をお待ちしております！  年齢の条件と理由：例外事由1号年齢制限 制限あり～59歳：年齢制限該当事由：定年を上限

合志市（熊本県）、半導体プロセス設計、土日祝休みの転職・求人情報

【熊本】SiCパワーデバイスのウエハプロセス開発半導体デバイス設計

パワー半導体デバイスのプロセス開発

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