応募資格 ・集束イオンビーム（FIB：Focused Ion Beam）を用いた、透過電子顕微鏡（TEM）および走査透過電子顕微鏡（STEM）観察用の薄片試料作成実務スキル ・技能レベル：膜厚80nmの薄片試料を再現性高く、問題なく作製できる技術力を有すること ※定年60歳

半導体物理解析エンジニア

✅入社特典×引っ越し費用補助あり　✅年収目安500万以上×5勤2休

必要な経験・能力等 【いずれか必須】■化学・バイオ・メディカル系のエンジニア経験のある方 ■半導体関連業務の経験のある方 ■品質管理・分析業務経験のある方  ■取得可能な技術：Etching、Ashing、チャック交換、Easy Teaching、膜厚測定、Etch Rate、Etch Temp、AFM、Particle測定、chip割り、Rocket測定、Dino Lite撮影、プラズマ撮影等 ■使用可能機器：Chamber、膜厚測定器、Etch Rate、Etch Temp、AFM、Particle測定器、移載機等 ※上記以外にも配属する部署によって変更となる可能性もございます。  学歴・資格 学歴：大学院 大学 高専 短大 専修学校 高校 語学力： 資格：

【北海道千歳市/半導体の分析・観察】教育体制充実/残業10H/WEB面接可 半導体研究開発

国内最大規模の半導体設備メーカーにおいて、半導体の分析や観察の実作業、作業マニュアル作成などを担当いただきます。ご経験を活かし、業務の推進を期待致します。

応募資格 ・デバイスエンジニアとしての経験、もしくは歩留まり改善エンジニアとしての業務経験（3～10年程度） ・半導体デバイス(CMOS)の詳細知識を持つ ・半導体測定機の操作やプログラム登録ができる ・データマイニングや報告書の作成ができる ・コミュニケーション力、リーダーシップ力がある ※定年60歳

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シニアデバイスエンジニア(特性解析や歩留まり改善リーダー)

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