パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア

仕事内容 ※この求人は20-30代の支援が得意な転職エージェント【北陸人材ネット】が【東芝デバイス＆ストレージ株式会社】様よりお預りした求人です※ 【ポイント】 ✔カーボンニュートラル（温室効果ガス排出量実質ゼロ）の追い風にのり、車載向け等の伸びしろが大きい事業です! ✔それぞれ世界トップクラスのシェアを誇るメーカーと協業!それぞれの強みを生かし品質も売り上げも落とさない戦略! ✔加賀拠点に製造ラインを導入し安定供給を図るべく成長に向けた増員です! 【業務内容】 MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセスの開発をお任せします。 具体的なユニットプロセス開発 ・成膜プロセス ・リソグラフィ ・ドライエッチング／ウェットエッチング ・イオン注入 など 各工程毎にチーム編成をして、プロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。 各チームで開発を牽引頂ける人財を求めており、ご経験を踏まえてお任せする工程を相談します。 【注意事項】 〇企業への直接応募と違い、「エントリー」＝即応募ではございません。 正式な応募前に弊社のコンサルタントに相談が可能ですので、現時点で応募意思が固まっていない場合にもご安心ください。 応募を進める場合、書類添削や面接対策などの支援を受けながら選考を進めることができます。 （北陸人材ネットは内定率業界平均2.5倍。特に20－30代向けの転職支援に定評があります。）

求める人材/能力 【必須条件】 ◎半導体のユニットプロセス技術経験者 ◎半導体装置メーカ、半導体材料メーカ等、半導体関連メーカに在籍され、ユニットプロセスの知見がある方 ◎半導体に関連する研究を専攻されていた方 ◎大学卒業以上

石川県能美市能美市岩内町１－１東芝デバイス＆ストレージ株式会社　加賀分室 株式会社北陸人材ネット(Hokuriku Jinzai Net) 勤務地 石川県能美市能美市岩内町１－１東芝デバイス＆ストレージ株式会社 加賀分室

年俸450万円～1000万円 給与 年収4500000円〜10000000円 想定年収4,500,000円-10,000,000円 昇給：年1回 賞与：年2回（7月・12月） 住宅手当、次世代育成手当、通勤手当、時間外勤務手当、深夜手当など（当社規定による） ※エキスパート級での採用（年収1,000万円）については管理監督者にあたるため、住宅手当、次世代育成手当、時間外勤務手当等は不支給となります。

固定時間制 勤務時間 ８：１５～１７：００ 月平均残業時間 30時間

休日・休暇 年間休日 127日 土日祝休み

【保険制度】 ・雇用保険 ・労災保険 ・健康保険 ・厚生年金 待遇・福利厚生 ○フレックスタイム制度 ○在宅勤務制度 ○裁量労働制 ○短時間勤務制度 ○定時退社デー ○ステップアップ休暇 ○時間単位年休 ○年次有給休暇年間24日※初年度18日 ○育児・介護・看護休暇制度 ○キャリアターン制度 ○ライフサポート休暇 ○カフェテリアプラン（選択型福祉制度） ○住宅・家賃費補助 ○社員寮・社宅 ○社会保険 ・・健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険 ○団体保険（生命保険、医療保険）、弔慰金・見舞金 ○財産形成 ・・従業員持株会、財形貯蓄、積立年金、企業年金制度 ○持株会

試用期間あり 2か月　　条件変更なし

雇用形態 正社員