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株式会社デンソー
◇パワーデバイス材料研究、デバイス開発をお任せ致します。【業務詳細】■SiCウェハガス成長法の研究開発
広瀬製作所（愛知県豊田市）、先端研究所（愛知県日進市）
［想定年収］550万円〜950万円
完全週休2日制 ［年間休日］120日 内訳：土日
■「世界初へのこだわり」「グローバル開発体制」「先端研究」を強みとして、モビリティ社会に新しい価値を提供 ■「電動化」「自動運転」「コネクティッド」「非自動車事業(FA/農業)」を注力分野とし更なる事業拡大を推進
◇パワーデバイス材料研究、デバイス開発をお任せ致します。
【業務詳細】
■SiCウェハガス成長法の研究開発
■SiCエピタキシャル成長の研究開発
■横型GaN-HEMTのデバイス開発
■縦型GaN-MOSFETのデバイス開発
■α酸化ガリウム半導体研究開発
■β酸化ガリウム半導体研究開発
■ダイヤモンド半導体研究開発
［配属先情報］
※入社後すぐに株式会社デンソーの社員として株式会社ミライズ テクノロジーズ（https://www.mirise-techs.com/）に出向いただきます。
【必須】■パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること（大学卒業レベル）■半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験（3年以上）を有する方
【歓迎】■第一原理計算、T-CADシミュレーション経験 ■エピタキシャル成長に関するプロセス・装置開発経験（5年以上）■ワイドバンドギャップ半導体の研究・開発経験（5年以上）
【求める人物像】車載パワー半導体の研究開発をリードし、カーボンニュートラルな社会実現への貢献を実感できる、やりがいの持てる職場で一緒に汗を流してくれる方を募集しております。
［学歴］高専 大学 大学院
広瀬製作所（愛知県豊田市）、先端研究所（愛知県日進市）
［転勤］当面無
［想定年収］550万円〜950万円
［賃金形態］月給制
［月給］250000円〜
［所定労働時間］8時間0分 ［休憩］60分
［フレックスタイム制］有
［コアタイム］有 10:10〜14:25
完全週休2日制
［年間休日］120日 内訳：土日
その他（会社カレンダーに準ずる(年間120日以上)）
［有給休暇］ 〜最高20日 3月入社の場合※入社月により日数変動
［退職金］有
［社会保険］健保 厚生年金 雇用 労災
［寮社宅］有
［その他制度］【有給備考】4月〜9月入社は入社時より10日付与、それ以外は入社月により変動。2年度目以降は17日付与
【募集背景】パワエレ第2開発部では、車両の電動化のためのキーデバイスであるSiCパワーデバイスのウェハインゴット製造、エピタキシャル成長技術の内製化に向けた研究開発を行っております。第一原理計算や機械学習を駆使した装置・レシピ開発で、世界でも随一の高速かつ高品質な結晶成長を目指しております。また、ポストSiCデバイスとして、GaNや酸化ガリウム、ダイヤモンド半導体など次世代のパワーデバイスの研究開発を大学や企業と連携して行っております。
株式会社デンソー
1949年12月
代表取締役社長 林 新之助
187457百万円
44,758名
【本社】愛知県刈谷市昭和町１−１、【その他事業所】国内外各工場・製作所・支店等
※連結従業員数：164,572人
その他業種
電動化(HV・PHV・EV)、ADAS/AD(高度運転支援システム・自動運転)、コネクティッド、モノづくりFactory IoT、FA事業、新事業(マイクログリッド、電動アシスト、セキュリティ、ヘルスケア、バイオ、農業支援、コールドチェーン、情報ソリューションなど)
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〒100-6640 東京都千代田区丸の内1-9-2 グラントウキョウサウスタワー
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